[发明专利]三维高速高密度非挥发存储器无效

专利信息
申请号: 201010223354.4 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN102315222A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫锋;王琴;龙世兵 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种三维高速高密度非挥发存储器,属于微电子制造及存储器技术领域。所述高速高密度非挥发存储器具有垂直结构,基于单层结构高速、多值的特点,构成三维阵列集成,从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成,采用现有存储器制造工艺即可实现,有利于本发明的推广和应用。
搜索关键词: 三维 高速 高密度 挥发 存储器
【主权项】:
一种三维高速高密度非挥发存储器,其特征在于,该存储器具有多个存储单元,由电荷分立存储栅介质层提供物理存储点,由多个存储单元构成存储阵列,该存储阵列具有叠层结构栅电极、对称源/漏掺杂区,能够实现单位或多位操作,获得高存储密度。
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