[发明专利]三维高速高密度非挥发存储器无效
申请号: | 201010223354.4 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN102315222A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫锋;王琴;龙世兵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维高速高密度非挥发存储器,属于微电子制造及存储器技术领域。所述高速高密度非挥发存储器具有垂直结构,基于单层结构高速、多值的特点,构成三维阵列集成,从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成,采用现有存储器制造工艺即可实现,有利于本发明的推广和应用。 | ||
搜索关键词: | 三维 高速 高密度 挥发 存储器 | ||
【主权项】:
一种三维高速高密度非挥发存储器,其特征在于,该存储器具有多个存储单元,由电荷分立存储栅介质层提供物理存储点,由多个存储单元构成存储阵列,该存储阵列具有叠层结构栅电极、对称源/漏掺杂区,能够实现单位或多位操作,获得高存储密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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