[发明专利]三维多值非挥发存储器的制备方法无效
| 申请号： | 201010223356.3 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102315173A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫锋;王琴;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，该方法包括：A、在半导体衬底上形成栅极叠层结构；B、形成栅介质层；C、形成沟道区域及源/漏掺杂区；D、分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线，形成非挥发存储器的三维集成。本发明综合利用了电荷俘获层中电荷局域化存储的性质和垂直堆叠结构的空间特性，在单个器件中获得多个物理存储点，实现多值存储，在存储器件阵列上形成三维集成，从而根本上提高了存储密度。同时本发明存储器可获得较优的编程、擦除、保持等器件性能。本发明电荷俘获型多值非挥发存储器制备工艺与传统的硅平面CMOS工艺兼容，可采用传统存储器阵列结构集成，利于广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 多值非 挥发 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在半导体衬底上形成栅极叠层结构；B、形成栅介质层；C、形成沟道区域及源/漏掺杂区；D、分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线，形成非挥发存储器的三维集成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010223356.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多工位重力冲击模拟及疲劳寿命试验台
- 下一篇：单面进风热源塔
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
