[发明专利]相变存储器、底部电极及其制作方法有效
| 申请号： | 201010223482.9 | 申请日： | 2010-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102315384A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器、底部电极及其制作方法，其中底部电极的制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有柱形图形的铸模层；在所述铸模层的垂直外表面形成环柱状的侧壁电极；在所述侧壁电极的外表面形成绝缘的支撑侧壁。本发明所形成的底部电极与相变层具有较小的接触面积，同时能够避免在相变存储器的制作过程中，从半导体衬底脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 底部 电极 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种底部电极的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成具有柱形图形的铸模层；在所述铸模层的垂直外表面形成环柱状的侧壁电极；在所述侧壁电极的外表面形成绝缘的支撑侧壁。
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