[发明专利]室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010223651.9 申请日: 2010-07-12
公开(公告)号: CN101881745A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 李强;霍丽华;高山;赵辉 申请(专利权)人: 黑龙江大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 韩末洙
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件及其制备方法,它涉及醇类气敏元件及其制备方法。本发明解决了现有的检测醇类气体的单一无机和有机半导体氧化物气敏材料的灵敏度低、响应-恢复时间长、选择性差、操作温度高的问题。本发明的气敏元件从内至外依次由金叉指玻璃基片、氧化物薄膜和酞菁铜薄膜构成,其中的氧化物为Cr、Mo、Fe或Sn的氧化物;方法:将金属硝酸水溶液中加入盐酸,加热回流得到金属氧化物溶胶,然后将金叉指玻璃基片浸入溶胶再提出,烘干后再浸,重复8~12次,烧结后再在其上旋涂酞菁铜氯仿溶液,得到气敏元件。该元件对低浓度乙醇气体选择性响应,在室温下可检测浓度为5ppm的醇类气体,可用于检测醇类气体。
搜索关键词: 室温 氧化物 酞菁铜杂化 薄膜 醇类气敏 元件 及其 制备 方法
【主权项】:
室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件,其特征在于室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件从内至外依次由金叉指玻璃基片、氧化物薄膜和酞菁铜薄膜构成,其中的氧化物为Cr、Mo、Fe或Sn的氧化物。
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