[发明专利]半导体晶圆切割用粘合片和半导体晶圆的切割方法无效
| 申请号： | 201010223680.5 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101942278A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 杉村敏正;高桥智一;川岛教孔;浅井文辉 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/02 | 分类号： | C09J7/02;H01L21/68;H01L21/304;B32B27/00;C09J133/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体晶圆切割用粘合片和使用该粘合片的半导体晶圆的切割方法，所述半导体晶圆切割用粘合片即使在半导体晶圆的表面存在凹凸等的情况下，也能够良好地追随于该凹凸，能够防止粘合片粘贴面的浸水、污染、芯片飞溅、碎裂等。一种半导体晶圆切割用粘合片，该半导体晶圆切割用粘合片至少由基材、中间层和粘合剂层层压而成，所述中间层通过熔点为50～100℃的热塑性树脂形成，所述基材的熔点高于所述中间层的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 切割 粘合 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆切割用粘合片，其特征在于，该半导体晶圆切割用粘合片至少由基材、中间层和粘合剂层层压而成，所述中间层由熔点为50～100℃的热塑性树脂形成，所述基材的熔点高于所述中间层的熔点。
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