[发明专利]一种隔离区、半导体器件及其形成方法无效
| 申请号： | 201010223894.2 | 申请日： | 2010-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN102315152A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;朱慧珑;骆志炯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种隔离区，所述隔离区包括嵌于半导体基底中的第一凹槽和填充所述第一凹槽的绝缘层，所述第一凹槽包括第一侧壁、底壁和由所述底壁延伸并接于所述第一侧壁的第二侧壁，所述第一侧壁与所述半导体基底的法线间的夹角大于标准值。一种隔离区的形成方法，包括：在半导体基底上形成第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁与所述半导体基底的法线间的夹角大于标准值；在所述侧壁上形成掩膜，利用所述掩膜在半导体基底上形成第二沟槽；形成绝缘层，以填充所述第一沟槽和所述第二沟槽。一种半导体器件及其形成方法，在所述半导体器件中，在承载用以形成源漏区的半导体层的第二凹槽和所述第一侧壁和所述第二侧壁之间夹有所述半导体基底材料。利于减少漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种隔离区，所述隔离区包括第一凹槽和填充所述第一凹槽的绝缘层，所述第一凹槽嵌于半导体基底中，所述第一凹槽包括第一侧壁、底壁和由所述底壁延伸并接于所述第一侧壁的第二侧壁，其特征在于：所述第一侧壁与所述半导体基底的法线间的夹角大于标准值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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