[发明专利]压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备有效
| 申请号： | 201010224767.4 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101950790A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 柴田宪治;佐藤秀树;末永和史;野本明 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/00;H01L41/187 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 元件 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
【主权项】：
一种压电薄膜元件，其特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1‑XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。
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