[发明专利]用于CMP后清洗的配方和方法有效
申请号: | 201010224869.6 | 申请日: | 2010-07-07 |
公开(公告)号: | CN101942667A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | D·C·坦姆伯利;M·B·拉奥;G·巴尼尔杰;K·R·法布里加斯 | 申请(专利权)人: | 气体产品与化学公司 |
主分类号: | C23G5/036 | 分类号: | C23G5/036 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈文平 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于CMP后清洗的配方和方法。本发明涉及一种清洗去除半导体制备工艺中的残渣的方法,包括将待清洗的表面与水性配方接触,该水性配方含有选自丙烯酰胺基-甲基-丙烷磺酸盐的聚合物、丙烯酸-2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物,以及具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵或与非炔属表面活性剂一起的氢氧化胆碱。本发明也涉及一种含有上述方法中描述的组分的CMP后清洗配方。 | ||
搜索关键词: | 用于 cmp 清洗 配方 方法 | ||
【主权项】:
一种清洗去除半导体制备工艺中的残渣的方法,包括将待清洗的表面与水性配方接触,所述水性配方含有选自丙烯酰胺基‑甲基‑丙烷磺酸盐的聚合物、丙烯酸‑2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙烷磺酸共聚物及其混合物的聚合物,以及选自具有超过4个碳原子的氢氧化烷基季铵和当表面活性剂为非炔属表面活性剂时的氢氧化胆碱的氢氧化季铵。
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