[发明专利]有机光-光变换装置无效
申请号: | 201010225181.X | 申请日: | 2004-12-16 |
公开(公告)号: | CN101908556A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 中山健一;横山正明;上田将人 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L31/14;H01L51/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种具有优异的装置特性的有机光-光变换装置,其包含:具有包含通过光照射产生光-电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元和具有包含通过电流注入而发光的场致发光有机半导体的层的发光单元,其特征在于,光电导有机半导体和场致发光有机半导体中的至少一个是聚合物半导体。一种由多个布置的上述有机光-光变换装置构成的图像增强器。一种光学传感器,其配备有测定和输出施加在上述有机光-光变换装置和包含场致发光有机半导体的层的相反端的电压的装置。 | ||
搜索关键词: | 有机 变换 装置 | ||
【主权项】:
一种有机光 光变换装置,所述有机光 光变换装置包含:a)具有包含通过光照射产生光 电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元,b)放置在同一基板上与所述光感应单元不同的位置上的具有包含场致发光有机半导体的层的发光单元,所述场致发光有机半导体通过电流注入而发光,和c)放置在同一基板上将所述光感应单元连接到所述发光单元上的导电层,其特征在于,所述光电导有机半导体和所述场致发光有机半导体中的至少一种是聚合物半导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的