[发明专利]形成集成电路结构的方法与集成电路结构有效

专利信息
申请号: 201010226330.4 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN101964311A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 李新辉;郑荣伟 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/28
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种形成集成电路结构的方法与集成电路结构,该形成集成电路结构的方法提供一晶片,其具有一芯片侧与一非芯片侧,该芯片侧包括多个半导体芯片。提供多个裸片,各个所述裸片结合至所述多个半导体芯片之一。形成一或多个沟槽于该晶片的该芯片侧上。将该晶片的该芯片侧与所述多个裸片以一保护材料封住,该保护材料实质上填入所述一或多个沟槽。切割该晶片以将其分成各自的半导体封装体。本发明避免了可起因于温度循环测试的可能脱层。
搜索关键词: 形成 集成电路 结构 方法
【主权项】:
一种形成集成电路结构的方法,包括:提供一晶片,其具有一芯片侧与一非芯片侧,该芯片侧包括多个半导体芯片;提供多个裸片,各个所述裸片结合至所述多个半导体芯片之一;形成一或多个沟槽于该晶片的该芯片侧上;将该晶片的该芯片侧与所述多个裸片封住,且实质上以一保护材料填入所述一或多个沟槽;以及切割该晶片以将该晶片分成各自的半导体封装体。
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