[发明专利]形成集成电路结构的方法与集成电路结构有效
| 申请号： | 201010226330.4 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101964311A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 李新辉;郑荣伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成集成电路结构的方法与集成电路结构，该形成集成电路结构的方法提供一晶片，其具有一芯片侧与一非芯片侧，该芯片侧包括多个半导体芯片。提供多个裸片，各个所述裸片结合至所述多个半导体芯片之一。形成一或多个沟槽于该晶片的该芯片侧上。将该晶片的该芯片侧与所述多个裸片以一保护材料封住，该保护材料实质上填入所述一或多个沟槽。切割该晶片以将其分成各自的半导体封装体。本发明避免了可起因于温度循环测试的可能脱层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一晶片，其具有一芯片侧与一非芯片侧，该芯片侧包括多个半导体芯片；提供多个裸片，各个所述裸片结合至所述多个半导体芯片之一；形成一或多个沟槽于该晶片的该芯片侧上；将该晶片的该芯片侧与所述多个裸片封住，且实质上以一保护材料填入所述一或多个沟槽；以及切割该晶片以将该晶片分成各自的半导体封装体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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