[发明专利]一种单频太赫兹光源有效
| 申请号： | 201010226984.7 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101964500A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张志鹏;秦华;楼柿涛;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/065;H01S5/10 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种单频太赫兹(THz)光源，以宽频THz光源为基本结构，所述宽频THz光源为利用沟道和栅极间的电子场发射以激发沟道中的等离子体波产生THz波辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述单频THz光源其垂直于高电子迁移率晶体管的平面上键合有一个太赫兹谐振腔。本发明的单频太赫兹光源，利用氮化镓基HEMT器件与THz谐振腔的耦合，能够实现单一频率的高功率输出，进一步为促进太赫兹波的深入研究提供了前提条件，同时该太赫兹光源能在室温下工作，显著拓展了太赫兹波的应用范围并节省了应用成本。此外，由于采用微机电机械系统加工技术，使得产品尺寸更适于当前小型化的趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单频太 赫兹 光源 | ||
【主权项】：
一种单频太赫兹光源，以宽频太赫兹光源为基本结构，所述宽频太赫兹光源为利用沟道和栅极间的电子场发射以激发沟道中的等离子体波产生太赫兹波辐射的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于：所述单频太赫兹光源垂直于其高电子迁移率晶体管平面键合有一个太赫兹谐振腔。
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