[发明专利]半导体结构和形成方法

摘要

本发明涉及半导体结构和形成方法。提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。

主权项

一种介电帽盖层，其自底部到顶部包括：包含含氮材料的第一介电层，其具有第一厚度和第一压缩应力并在不引起对下伏材料的损伤的条件下被设置；在所述第一介电层上设置的第二介电层，其具有第二厚度和第二压缩应力，其中所述第二厚度大于所述第一厚度，并且所述第二压缩应力大于所述第一压缩应力；以及在所述第二介电层上设置的第三介电层，其具有第三厚度和低于3.5的介电常数，其中所述第三厚度大于所述第一厚度和所述第二厚度之和，其中即使在暴露于UV辐射之后，整个介电帽盖层也具有固有的压缩应力。