[发明专利]制造加速度传感器的方法无效

专利信息
申请号: 201010227927.0 申请日: 2010-07-15
公开(公告)号: CN101907635A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 杨斌 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司
主分类号: G01P15/00 分类号: G01P15/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种制造加速度传感器的方法,其步骤如下:提供一单晶硅衬底;在单晶硅衬底上沉积绝缘层;在所述绝缘层上沉积牺牲层;利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽,使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层;在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅,使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔;在两个相邻的凹孔间,用光刻刻蚀出若干间隙,从而得出所需的结构;释放牺牲层。本发明生产成本低,设计灵活。
搜索关键词: 制造 加速度 传感器 方法
【主权项】:
一种制造加速度传感器的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:A、提供一单晶硅衬底;B、在单晶硅衬底上沉积绝缘层;C、在所述绝缘层上沉积牺牲层;D、利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽,使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层;E、在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅,使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔;F、在两个相邻的凹孔间,用光刻刻蚀出若干间隙,从而得出所需的结构;G、释放牺牲层。
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