[发明专利]制造加速度传感器的方法无效
申请号: | 201010227927.0 | 申请日: | 2010-07-15 |
公开(公告)号: | CN101907635A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 杨斌 | 申请(专利权)人: | 瑞声声学科技(深圳)有限公司;瑞声微电子科技(常州)有限公司 |
主分类号: | G01P15/00 | 分类号: | G01P15/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种制造加速度传感器的方法,其步骤如下:提供一单晶硅衬底;在单晶硅衬底上沉积绝缘层;在所述绝缘层上沉积牺牲层;利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽,使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层;在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅,使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔;在两个相邻的凹孔间,用光刻刻蚀出若干间隙,从而得出所需的结构;释放牺牲层。本发明生产成本低,设计灵活。 | ||
搜索关键词: | 制造 加速度 传感器 方法 | ||
【主权项】:
一种制造加速度传感器的方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:A、提供一单晶硅衬底;B、在单晶硅衬底上沉积绝缘层;C、在所述绝缘层上沉积牺牲层;D、利用光刻在牺牲层的表面刻蚀出若干凹槽,使所述凹槽贯穿整个牺牲层至绝缘层;E、在被刻蚀后的牺牲层上及凹槽内沉积多晶硅,使多晶硅表面形成与若干凹槽对应的凹孔;F、在两个相邻的凹孔间,用光刻刻蚀出若干间隙,从而得出所需的结构;G、释放牺牲层。
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