[发明专利]高一致性的电阻型存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201010228039.0 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102339948A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 林殷茵;王明;杨玲明;王艳良 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，具体为一种高一致性的电阻型存储器及其制备方法。该电阻型存储器包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于下电极和第一介质层上；形成于第二介质层的开口中的边墙，用于覆盖下电极与第一介质层的交界区域、并仅暴露下电极的中部区域；以第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层；以及上电极。该电阻型存储器一致性和可靠性高，单元尺寸小、有利于提高存储特性。以该电阻型存储器形成的电阻型存储器阵列，多个电阻型存储器之间的一致性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一致性 电阻 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻型存储器，其特征在于，包括：下电极，其被构图地形成于第一介质层中；第二介质层，形成于所述下电极和第一介质层上，所述下电极上具有用于构图暴露所述下电极的开口；形成于所述第二介质层的开口中的边墙，其用于覆盖所述下电极与所述第一介质层的交界区域、并仅暴露所述下电极的中部区域；以所述第二介质层和边墙为掩膜氧化形成的存储介质层；以及上电极。
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