[发明专利]多波长发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010228192.3 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101908588A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 林朝晖 | 申请（专利权）人： | 泉州市金太阳电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市鲤城区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多波长发光二极管及其制造方法，多波长发光二极管包括衬底和位于所述衬底上的复数个多量子阱发光单元，其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长不同使得混合后成为白光，从而提高能量转化效率并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多波长发光二极管，其特征在于：包括衬底和位于所述衬底上的复数个多量子阱发光单元，其中，所述复数个多量子阱发光单元所发出光线的波长不同使得混合后成为白光。
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