[发明专利]去除晶片上的光刻胶层的方法有效
| 申请号： | 201010228209.5 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102314099A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨鑫著 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除光刻胶的方法，包括以下步骤：等离子体预处理步骤，预处理步骤用于对光刻胶层进行预处理，以及去除步骤，去除步骤用于去除经过预处理的光刻胶层。本发明的方法可以减少晶片表面光刻胶的残留，进而有效提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 晶片 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种去除晶片上的光刻胶层的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：等离子体预处理步骤，所述预处理步骤用于对所述光刻胶层进行预处理；以及去除步骤，所述去除步骤用于去除经过所述预处理的光刻胶层。
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