[发明专利]掺铒硅酸钇钆激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201010228408.6 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101886292A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;董勤;丁雨憧;陈建玉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B11/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺铒硅酸钇钆激光晶体及其制备方法，该激光晶体的分子式为：(EryGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x≤0.9。采用熔体法生长掺铒硅酸钇钆激光晶体。该激光晶体可以采用商业化的InP激光二极管或铒光纤激光器进行泵浦光源，并具有大的发射带宽，有利于宽的波长调谐。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掺铒硅酸钇钆激光晶体，其特征在于该激光晶体的分子式为：(EryGdx(1-y)Y(1-x)(1-y))2SiO5，其中y的取值范围为0.005～0.01，x的取值范围为0＜x≤0.9。
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