[发明专利]正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法

摘要

正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，涉及平板场发射真空光电子器件领域，它解决了现有制作绝缘层的工艺复杂，绝缘性差，成品率低的问题，首先利用光刻技术在阴极电极条上做光刻胶占位点，然后旋涂低熔点玻璃浆料，经过烘干、整形以及适当温度烧结以及低熔点玻璃浆料的表面抛光，实现低熔点玻璃浆料与光刻胶具有相同的厚度。最后通过去除光刻胶占位点，得到用于场发射体发射的孔洞，再结合超声波振动，制备出完好的正栅极结构场发射的栅极绝缘层。

主权项

正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、采用真空镀膜技术，在ITO玻璃表面蒸镀铬金属；步骤二、采用光刻、腐蚀的方法在步骤一所述铬金属的表面制备阴极电极条；获得带有电极的场发射阴极衬底；步骤三、在步骤二所述的阴极电极条的表面旋涂光刻胶，然后对所述光刻胶采用适当的温度进行前烘、曝光后进行两次显影；采用等离子体干法刻蚀机对旋涂的光刻胶进行等离子体氧化，获得带有光刻胶占位点的玻璃衬底；步骤四、将步骤三获得的光刻胶占位点的玻璃衬底上旋涂低熔点玻璃粉绝缘浆料，然后将所述玻璃衬底放入烤炉中进行两次烧结，采用金刚砂通过光学磨削加工法去除高于光刻胶占位点上的低熔点玻璃粉；获得与光刻胶占位点高度相同的低熔点玻璃粉的ITO玻璃衬底；步骤五、对步骤四所述的ITO玻璃衬底继续烧结，去除光刻胶的占位点，获得发射器件的腔体；步骤六、对步骤五获得发射器件的腔体采用超声波振动，获得正栅极结构中场发射器件的绝缘层。