[发明专利]相变存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010229193.X | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101958399A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 李明修;陈介方 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种相变存储装置及其制造方法，包括存储元件、导电接触窗、绝缘元件、下电极以及上电极。存储元件包括位于导电接触窗上的可编程电阻存储材料。绝缘元件包括管状部分，其由导电接触窗延伸至存储元件，且具有近端、远端以及定义出内部的内表面，近端与导电接触窗相邻。下电极接触导电接触窗，且在内部中由近端向上延伸至远端。下电极具有上表面，上表面以第一接触表面接触与远端相邻的存储元件。存储元件使上电极与管状部分的远端分离，且上电极接触以第二接触表面接触存储元件。第二接触表面的表面积大于第一接触表面的表面积。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储装置，其特征在于，包括：导电接触窗；存储元件，包括位于所述导电接触窗上的可编程电阻存储材料；绝缘元件，包括管状部分，所述管状部分由所述导电接触窗延伸至所述存储元件，且所述管状部分具有近端、远端以及定义出第一内部的内表面，其中所述近端与所述导电接触窗相邻；下电极，接触所述导电接触窗，且在所述第一内部中由所述近端向上延伸至所述远端，所述下电极具有上表面，所述上表面以第一接触表面接触与所述远端相邻的所述存储元件；以及上电极，所述存储元件使所述上电极与所述管状部分的所述远端分离，且所述上电极以第二接触表面接触所述存储元件，其中所述第二接触表面的表面积大于所述第一接触表面的表面积。
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