[发明专利]通过从MOS器件的高K/金属栅极去除界面层缩小EOT有效
| 申请号： | 201010229603.0 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101958341A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 许俊豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 孙征;陆鑫 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种通过从MOS器件的高K/金属栅极去除界面层缩小EOT的集成电路结构，包括：半导体衬底以及半导体衬底上方的声子屏蔽层。在半导体衬底与声子屏蔽层之间基本不存在界面层。高K介电层位于声子屏蔽层上方。金属栅极层位于高K介电层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 mos 器件 金属 栅极 去除 界面 缩小 eot | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：半导体衬底；声子屏蔽层，在所述半导体衬底上方，其中，在所述半导体衬底与所述声子屏蔽层之间基本不存在界面层；高K介电层，在所述声子屏蔽层上方；以及金属栅极层，在所述高K介电层上方。
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