[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子装置有效
申请号: | 201010230139.7 | 申请日: | 2010-07-19 |
公开(公告)号: | CN101969065A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 渡部泰一郎;渡边一史 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子装置。所述固体摄像器件包括像素,所述像素包括埋入型光电二极管、埋入型浮动扩散部以及埋入型栅极电极,所述埋入型光电二极管形成在基板内部,所述埋入型浮动扩散部形成在所述基板中的与所述埋入型光电二极管的深度相等的深度处且面对着形成在所述基板中的沟槽部的底部,所述埋入型栅极电极形成在所述沟槽部的底部处以用于从所述埋入型光电二极管向所述埋入型浮动扩散部传输信号电荷。由于所述埋入型浮动扩散部形成在与所述埋入型光电二极管相等的深度处,因此信号电荷通过较短的传输路径而被传输。本发明能够在维持高饱和电荷量的同时进行信号电荷的良好传输,从而能够提高图像质量。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件,其包括像素,所述像素包括:埋入型光电二极管,它形成在基板内部;埋入型浮动扩散部,它形成在所述基板中的与所述埋入型光电二极管的深度相等的深度处,且面对着形成在所述基板中的沟槽部的底部;以及埋入型栅极电极,它形成在所述沟槽部的底部处,用于从所述埋入型光电二极管向所述埋入型浮动扩散部传输信号电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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