[发明专利]具有双缓变结的Si-Ge-Si半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010230174.9 | 申请日： | 2010-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101916770A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 王敬;许军;郭磊 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/78;H01L21/205;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 黄德海 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种具有双缓变结的Si-Ge-Si半导体结构，包括：衬底；形成在所述衬底之上的过渡层或绝缘层；形成在所述过渡层或绝缘层之上的应变SiGe层，其中，所述应变SiGe层中心部分的Ge组分最高，上下两个表面处的Ge组分最低，所述中心部分至所述上下两个表面的Ge组分呈渐变分布。本发明使用缓变结来代替突变结，从而形成三角形的空穴势阱，这样不仅能够使空穴载流子大部分分布于高Ge材料层中，还能够降低界面散射引起的载流子迁移率下降的问题，进一步改善器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双缓变结 si ge 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双缓变结的Si Ge Si半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的过渡层或绝缘层；和形成在所述过渡层或绝缘层之上的应变SiGe层，其中，所述应变SiGe层中心部分的Ge组分最高，上下两个表面处的Ge组分最低，所述中心部分至所述上下两个表面的Ge组分呈渐变分布。
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