[发明专利]一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法有效
| 申请号： | 201010231360.4 | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101956180A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 周春兰;李涛;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法，其特征在于，首先用常规等离子体增强化学气相方法在晶体硅太阳电池的硅衬底表面沉积SiNx:H减发射薄膜，然后在原位先用N2等离子体进行表面物理轰击，时间为10-15秒，以去除SiNx:H薄膜键合较弱的-N(-NH2，-NH)和打断Si-H键得到未成键的Si+，接着用NH3或者NH3和N2混合等离子体进行表面处理，时间为10-20秒，使氮化硅薄膜中的未成键的Si+与N+键合形成Si-N键。所述的SiNx:H薄膜是构成太阳电池表面减反射层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反射 薄膜 sinx 表面 原位 nh sub 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种减反射薄膜SiNx:H表面原位NH3等离子体处理方法，其特征在于，首先用常规等离子体增强化学气相方法在晶体硅太阳电池的硅衬底表面沉积SiNx:H减发射薄膜，然后在原位先用N2等离子体进行表面物理轰击，时间为10‑15秒，以去除SiNx:H薄膜键合较弱的‑N(‑NH2，‑NH)和打断Si‑H键得到未成键的Si+；接着用NH3或者NH3和N2混合等离子体进行表面处理，时间为10‑20秒，使氮化硅薄膜中的未成键的Si+与N+键合形成Si‑N键。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
