[发明专利]二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法

摘要

本发明涉及一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法，该方法根据SiO2介质能和碱发生化学反应，抛光液选用碱性介质。该抛光液选用纳米SiO2磨料，磨料的浓度为4-50wt%，粒径40-100nm，以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的pH值9-13，既能满足有效去除，也能保证硅溶胶的稳定性。制备过程中采用负压搅拌制备法，避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染，可达到超净的要求；同时可实现纳米SiO2磨料高浓度、高pH值条件下不凝聚、不溶解。利用该方法制备的SiO2介质抛光液，在相应的抛光工艺条件下进行抛光，可实现SiO2介质表面的高精密加工，满足微电子工业对SiO2介质CMP精密加工的要求。具有高速率、低粗糙、环保、成本低等优点。

主权项

一种二氧化硅介质化学机械抛光液的制备方法，其特征在于实施步骤如下：以下均按重量百分比计：（1）将磨料碱性纳米SiO2水溶胶在负压下形成涡流吸入负压反应釜；所述磨料重量浓度为4‑50wt%，加入量是所配抛光液总重量的20‑90%；（2）用负压向反应釜中吸入去离子水，加入量是所配抛光液总重量的5‑75%； （3）在负压涡流状态下逐渐加入胺碱为1‑5%，胺碱调节pH值为9‑13； （4）在负压涡流状态下逐渐加入FA/OII型螯合剂为0.25‑2%；（5）在负压涡流状态下逐渐加入FA/OII型活性剂为0.25‑2%； （6）充分搅拌均匀后进行灌装。