[发明专利]一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法有效
| 申请号： | 201010231639.2 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101924030A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 王松 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al2O3薄膜；步骤三，在所述Al2O3薄膜上原位生长厚度不大于30nm的HfO2薄膜；步骤四，在所述HfO2薄膜上原位沉积吸氧金属盖帽层；步骤五，退火处理。本发明抑制了界面层生长，有利于高k栅介质等效栅氧厚度的减薄，提高了高k栅介质的结晶温度，减少了界面层厚度和界面态密度，改善了高阻SOI上高k栅介质的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 soi 衬底 介电常数 介质 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al2O3薄膜；步骤三，在所述Al2O3薄膜上原位生长厚度不大于30nm的HfO2薄膜；步骤四，在所述HfO2薄膜上原位沉积吸氧金属盖帽层；步骤五，退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010231639.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无核心封装基板的制造方法
- 下一篇：半导体器件中金属电容的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
