[发明专利]可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构

摘要

本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的阻挡层；埋氧层位于导电层的上表面；有源区包括源区、沟道区、漏区、漂移区、位于沟道区上表面的栅区、位于栅区与沟道区之间的栅氧化层；漂移区由交替排布的n型柱区和p型柱区构成；沟槽隔离结构位于有源区周围；电极包括源极、栅极、漏极、从导电层引出的导电极。本发明可以将积聚在埋氧层下界面处的电荷释放，完全消除衬底辅助耗尽效应，提高器件的击穿电压。

主权项

一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构，其特征在于，所述结构包括：底层硅膜，位于所述结构的最底层；导电层，位于所述底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和阻挡层，所述阻挡层生长于电荷引导层的上、下表面；埋氧层，位于所述导电层的上表面；有源区，包括源区、沟道区、漏区、漂移区、位于沟道区上表面的栅区以及位于栅区与沟道区之间的栅氧化层；所述漂移区由交替排布的n型柱区和p型柱区构成；沟槽隔离结构，位于有源区周围；电极，包括从源区引出的源极、从栅区引出的栅极、从漏区引出的漏极以及从导电层引出的导电极。