[发明专利]超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法有效
| 申请号： | 201010231677.8 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101901783A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;周建伟;胡轶 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法，其特征是：具体步骤如下，制备水抛液：按重量份数计(份)取去离子水，边均匀搅拌边加入表面活性剂0.5％-5％、FA/O II型螯合剂0.1-5％，FA/O II型阻蚀(氧)剂0.01-5％，搅拌均匀后制备成中性水抛液；铝布线化学机械抛光后立即使用上述中性水抛液采用大流量的方法对工件进行水抛，以使表面洁净。有益效果：CMP后不停止抛光盘旋转即换用水抛，进行大流量水抛来清洁晶片表面，对设备无腐蚀，并可将残留于晶片表面分布不均的抛光液和大颗粒迅速冲走，可获得洁净、完美的抛光表面。 | ||
| 搜索关键词： | 超大规模集成电路 布线 抛光 晶片 表面 洁净 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超大规模集成电路铝布线抛光后晶片表面洁净处理方法，其特征是：具体步骤如下，(1)制备水抛液：按重量份数计(份)取去离子水，边搅拌边加入表面活性剂0.5％-5％，FA/OII型螯合剂0.1-5％，FA/OII型阻蚀(氧)剂0.01-5％，搅拌均匀后制备成中性水抛液；(2)铝布线化学机械抛光工序中抛光后不抬起抛光盘立即使用上述碱性水抛液采用大流量的方法对工件进行水抛，以使表面洁净。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
