[发明专利]硅片清洗剂的制备方法有效
| 申请号： | 201010231678.2 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102010793A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;高宝红;檀柏梅;周强 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/66 | 分类号： | C11D1/66;C11D3/30;C11D3/28;C11D11/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅片清洗剂的制备方法，其特征是，具体步骤(体积比％)，将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的体积百分比0.1-5％、部分18MΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态；胺碱按需配置清洗剂的质量百分比0.5-10％，用去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内；将螯合剂0.1-5％用去离子水稀释后逐渐加入反应器内；加入缓蚀剂0.1-5％用去离子水稀释后逐渐加入反应器内；在涡流状态下反应器内加入剩余量的去离子水。有益效果：只需进行一次清洗即可达到清洗要求，提高了生产效率。采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害污染物的引入。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 洗剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅片清洗剂的制备方法，其特征在于，具体步骤(体积比％)(1)首先将渗透剂、非离子表面活性剂按需配置清洗剂的质量百分比0.1‑5％，以及部分18MΩ的去离子水用负压吸入反应器内并呈涡流状态；(2)胺碱按需配置清洗剂的质量百分比0.5‑10％，用18MΩ的去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内；(3)将螯合剂0.1‑5％用18MΩ去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内；(4)加入缓蚀剂0.1‑5％用18MΩ去离子水稀释后在负压涡流状态下逐渐加入反应器内；(5)在涡流状态下反应器内加入余量的去离子水。
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