[发明专利]超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法

摘要

本发明涉及一种超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法，其特征是：其制备方法步骤如下，采用18MΩ以上的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍；将碱性pH值调节剂和FA/O I型表面活性剂用超纯去离子水稀释后通过负压逐渐吸入密闭反应器内，采用负压涡流法进行气体搅拌，通过负压逐渐吸入纳米级硅溶胶，继续保持负压涡流搅拌状态3分钟停止。有益效果：无机械的负压搅拌和非金属材质的密闭反应釜及管道可避免金属离子、大颗粒等有害污染物的引入；负压形成的涡流可减少反应釜壁及底部滞留层，促使添加的原料试剂迅速混合均匀，避免出现局部pH值和浓度峰值而使SiO2水溶胶凝聚或溶解。

主权项

一种超大规模集成电路硅衬底的化学机械抛光液制备方法，其特征是：其制备方法步骤如下，(1)清洗容器和管道：采用18MΩ以上的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍；操作工人身体及手套、口罩及服装进行风浴超净处理，环境净化级别不低于千级；(2)将碱性pH值调节剂和FA/O I型表面活性剂用18MΩ以上超纯去离子水稀释后通过负压逐渐吸入密闭反应器内，采用负压涡流法进行气体搅拌；pH值调节剂加入量为直至抛光液达到pH值9‑13即可，FA/O I型表面活性剂加入浓度至0.5‑5wt％；(3)通过负压向反应器内逐渐吸入粒径15‑100nm的纳米级硅溶胶，浓度达到30‑50wt％，继续保持负压涡流搅拌状态3分钟停止，待液面稳定后，打开排放阀灌装到洁净容器中密封好。