[发明专利]钨钼合金化学机械抛光后表面清洗方法有效
| 申请号： | 201010231939.0 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102074460A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;潘国峰;陈海涛 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 肖莉丽 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钨钼合金化学机械抛光后表面清洗方法，旨在提供一种能够提高晶片表面质量，降低钨钼合金材料碱性化学机械抛光的后续加工成本，使用方便、简单易行清洗的方法。用电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂、FA/OII型螯合剂；采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂；将稀释后的阻蚀剂边搅拌边加入到得到的液体中，搅拌均匀后制成pH值为7.5～8.5的碱性水抛液；钨钼合金材料化学机械抛光后立即使用上述碱性水抛液采用1000-5000ml/min的大流量在0-0.01个大气压的低压力条件下进行水抛；之后用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000-5000ml/min的条件下冲洗。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 化学 机械抛光 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种钨钼合金化学机械抛光后表面清洗方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)用电阻为18MΩ以上的超纯水边搅拌边加入表面活性剂、FA/OII型螯合剂； (2)采用电阻为18MΩ以上的超纯水稀释阻蚀剂；(3)将稀释后的阻蚀剂边搅拌边加入到步骤(1)得到的液体中，搅拌均匀后制备成pH值为7.5～8.5的碱性水抛液；得到的水抛液中按重量百分比由下述组分组成：表面活性剂0.5％‑5％，FA/OII型螯合剂0.1‑5％，阻蚀剂0.01‑5％，余量的是电阻为18MΩ以上的超纯水；(4)钨钼合金材料化学机械抛光后立即使用上述碱性水抛液采用1000‑5000ml/min的大流量在0‑0.01个大气压的低压力条件下用喷头多方位对工件进行水抛，水抛的时间为1‑3min；(5)用电阻为18MΩ以上的超纯水在零压力、流量为1000‑5000ml/min的条件下对步骤(4)清洗后的钨钼合金材料冲洗1‑3min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
