[发明专利]聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法有效
| 申请号： | 201010232566.9 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101944434A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 谢丹;武潇;任天令;党智敏 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京科技大学 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及聚合物复合材料嵌入式微电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域。该微电容包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料。该方法包括：使用原位聚合法将BT纳米颗粒分散入PI中制备介电薄膜PI/BT复合材料；采用流延法将PI/BT复合材料黏附在基底铜板上，在得到的介电薄膜上铺一层光刻胶，并根据版图进行紫外线曝光，得到图形化的光刻胶；介电薄膜和光刻胶上溅射一层金属层；在丙酮溶液中浸泡形成了图形化好的上层电极；在氧气和三氟甲烷的混合气体中进行RIE处理后，超声清洗，即制得微电容。本发明可获得面积较大的、均匀致密的介电薄膜，并且可以使微电容在较高温度和低温下稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 复合材料 嵌入 式微 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚合物复合材料嵌入式微电容，包括依次层叠的上电极，介电薄膜和下电极，其特征在于，该介电薄膜采用聚酰亚胺/钛酸钡(PI/BT)复合材料，厚度为10‑100um。
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