[发明专利]一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法无效
| 申请号： | 201010233272.8 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101921986A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 王丽;苏雪琼;陈江博;万晓婧 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖；其制备方法通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备Zn0.9Co0.1O和In0.8Ga0.1Zn0.1O陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法分别制备P型掺钴氧化锌薄膜和N型掺铟镓氧化锌薄膜，形成同质p-n结。本发明结晶质量好、表面光滑，具有纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 掺杂 同质 pn 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌掺杂同质PN结，其特征在于，由ZnO掺钴薄膜作为P型结，ZnO掺铟镓薄膜作为N型结，P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上，N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上，P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型ZnO掺铟镓薄膜覆盖，在中间的交界面形成PN结；上述ZnO掺钴薄膜为Zn0.9Co0.1O薄膜，N型ZnO掺铟镓薄膜为In0.8Ga0.1Zn0.1O薄膜。
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