[发明专利]半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010233605.7 申请日: 2010-07-19
公开(公告)号: CN102024677A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 横泽薰 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/50
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供了一种半导体器件的制造方法,其能够快速地调查在半导体产品制造工艺中产生的缺陷的原因。各种QFP制造步骤中的制造条件被存储在主服务器中,同时将它们与该QFP的标识号码相关联,并且将与该标识号码对应的二维条形码标记到该QFP的表面。在发生该QFP的缺陷的情况下,可以通过读取该QFP的二维条形码并从而确定该标识号码,立即找到主服务器中存储的该QFP的制造条件。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件的制造方法,包括步骤:(a)提供基础构件,该基础构件包括具有芯片安装部分的器件区域和位于所述器件区域之外的外部框架部分;(b)在步骤(a)之后,将第一标识号码置于所述基础构件的所述外部框架部分;(c)在步骤(b)之后,将半导体芯片安装在所述基础构件的所述芯片安装部分上;(d)在步骤(c)之后,用树脂密封该半导体芯片使得所述外部框架部分被暴露,并且形成密封体;以及(e)在步骤(d)之后,读取所述第一标识号码,并将出自存储在服务器上的多条服务器内信息的、与所述读取的第一标识号码对应的第一服务器内信息,置于所述密封体,作为第二标识号码。
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