[发明专利]一种SON结构MOSFET的制备方法

摘要

本发明公开了一种SON结构MOSFET的制备方法，通过在体硅衬底上生长缓冲层，然后利用栅区光刻版，采用与栅区光刻工艺所用光刻胶极性相反的光刻胶进行光刻，使有源区上用于形成栅区的位置露出，再进行氢氦离子注入，去除光刻胶后经退火在栅区位置下面的有源区内形成空洞层；最后去除缓冲层，进行标准的CMOS工艺。该方法实现了仅仅在MOS沟道下面具有空洞层的SON结构MOSFET，且并不影响源漏区工艺；使用标准CMOS工艺现有的栅区光刻版进行氢氦注入窗口的定义，不必制备额外的光刻版，并且实现了空洞层和栅区位置的准自对准。

主权项

一种SON结构MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、形成有源区；步骤二、在有源区上形成缓冲层；步骤三、利用栅区光刻版，采用与栅区光刻工艺所用光刻胶极性相反的光刻胶进行光刻，使有源区上用于形成栅区的位置露出，然后进行氢氦离子注入，去除光刻胶后经退火在用于形成栅区的位置下面的有源区内形成空洞层；步骤四、去除缓冲层；步骤五、在所述空洞层两端形成源区及漏区，在空洞层上形成沟道，并利用所述栅区光刻版采用栅区光刻工艺制作栅区，完成MOSFET器件结构。