[发明专利]磁记录介质无效
| 申请号： | 201010234468.9 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101964195A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 佐山淳一;根本广明;井手浩;片冈弘康;高桥伸幸;岛津武仁;北上修;冈本聪;青井基 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;富士电机电子技术株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁记录介质，所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1)，所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co-Ni-Pt合金的强磁性晶粒。就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于在常温下具有非常高的各向异性磁场，因此所记录的磁信号的稳定性极其优异。另外，就该磁记录介质(1)而言，构成磁记录层(50)的上述Co-Ni-Pt合金由于具有适当的温度范围的居里点，因此可通过热辅助磁记录方式来进行信号记录。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
磁记录介质，其通过一边局部加热记录介质一边施加外部磁场从而记录磁信号，所述磁记录介质的特征在于，用于记录磁信号的磁记录层包含Pt含量为44at％以上55at％以下并且Ni/(Co+Ni)的原子含量比为0.64以上0.8以下的Co‑Ni‑Pt合金的强磁性晶粒。
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