[发明专利]太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201010234553.5 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102339894A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈炯 | 申请（专利权）人： | 上海凯世通半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 薛琦;朱水平 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，其包括以下步骤：S1、清洗太阳能晶片；S2、在以P型基底的太阳能晶片的背面通过离子注入的方式注入P型离子以形成P+型掺杂层；S3、在该以P型基底的太阳能晶片的正面形成N型掺杂层；S4、在该以P型基底的太阳能晶片的正面形成氮化硅薄膜；S5、在该以P型基底的太阳能晶片的正面和背面制作金属电极并烧结退火以形成表面电极和背面电极，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。通过离子注入的方式形成掺杂层，掺杂离子的浓度得到了精确的控制，由此得到了与理论计算相近的方块电阻，提高了太阳能电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制备方法，其包括以下步骤：S1、清洗太阳能晶片；其特征在于，该太阳能电池的制备方法还包括以下步骤：S2、在以P型基底的太阳能晶片的背面通过离子注入的方式注入P型离子以形成P+型掺杂层；S3、在该以P型基底的太阳能晶片的正面形成N型掺杂层；S4、在该以P型基底的太阳能晶片的正面形成氮化硅薄膜；S5、在该以P型基底的太阳能晶片的正面和背面制作金属电极并烧结退火以形成表面电极和背面电极，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
