[发明专利]一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法无效
| 申请号： | 201010235023.2 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101914758A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 魏星;王湘;杨建;张苗;王曦;林成鲁 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/58;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有一光滑的上表面；实施第一次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入；实施第二次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入；在含氧气氛下对单晶硅衬底实施退火；实施第三次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入；在含氧气氛下对单晶硅衬底再次实施退火；重复实施第三次离子注入以及退火的步骤以继续加厚绝缘埋层，至绝缘埋层的厚度达到目标厚度为止。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 制备 绝缘体 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有一光滑的上表面；实施第一次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入，以在单晶硅衬底内部形成注入损伤层；实施第二次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入，第二次氧离子注入的注入位置在前一步骤形成的注入损伤层靠近单晶硅衬底上表面一侧的表面，以在注入损伤层的上表面形成缺陷层；在含氧气氛下对单晶硅衬底实施退火，以将注入损伤层转变成绝缘埋层，将缺陷层转变成多晶层；实施第三次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入，本步骤中氧离子注入在绝缘埋层内且更靠近绝缘埋层的下界面；在含氧气氛下对单晶硅衬底再次实施退火，以促进第三次注入的氧和硅结合形成氧化硅，从而加厚绝缘埋层，并促进多晶层的硅和氧结合形成绝缘埋层的一部分；重复实施第三次离子注入以及退火的步骤以继续加厚绝缘埋层，至绝缘埋层的厚度达到目标厚度为止。
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