[发明专利]利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法有效
| 申请号： | 201010235399.3 | 申请日： | 2010-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101880914A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 夏洋;刘邦武;李超波;刘杰;汪明刚;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法，所述方法包括：将硅片放置于黑硅制备装置的注入腔室内；调整黑硅制备装置的工艺参数进入预先设置的数值范围；黑硅制备装置产生等离子体，等离子体中的反应离子注入至硅片内；反应离子与硅片发生反应，形成黑硅。采用本方法，能够在硅片上形成具有很强吸光特性、对光极其敏感的黑硅，制备效率高，成本低廉，过程控制简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 等离子体 浸没 离子 注入 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法，其特征在于：将硅片放置于黑硅制备装置内，采用等离子体浸没离子注入工艺来制备黑硅。
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