[发明专利]LED封装用苯基氢基硅树脂的制备方法有效

专利信息
申请号: 201010235812.6 申请日: 2010-07-23
公开(公告)号: CN101891893A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 丁小卫;许家琳;廖义军;欧阳冲 申请(专利权)人: 深圳市安品有机硅材料有限公司
主分类号: C08G77/12 分类号: C08G77/12;C08G77/06;H01L33/56;C09J183/05;C09K3/10
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 代理人: 胡吉科;许建
地址: 518000 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种LED封装材料用苯基氢基硅树脂的制备方法,包括下列依次进行的步骤:(A)将烷氧基硅烷、封端剂、溶剂和催化剂混合,在40℃~50℃温度下搅拌并滴加水反应,滴加完后,在50℃下继续反应1~3小时;(B)加入氢基烷氧基硅烷和/或氢基硅氧烷,搅拌下滴加乙酸,滴完后,升温至50℃~80℃进行缩聚聚合反应1~3小时;(C)加入溶剂和水并搅拌混合,然后静置并分离有机层与水层,将分离后的有机层反复水洗至中性后干燥,再减压蒸馏脱除低分子。这种方法不产生氯化氢等不易回收处理的副产物,而且可以做到任意合适粘度和苯基含量的硅树脂,其含氢量也可以调节。
搜索关键词: led 封装 苯基 硅树脂 制备 方法
【主权项】:
一种LED封装材料用苯基氢基硅树脂的制备方法,所述苯基氢基硅树脂具有下述结构通式:(SiO2)a1(PhSiO3/2)a2(MeSiO3/2)a3(Me2SiO)b1(Ph2SiO)b2(MePhSiO)b3(HMeSiO)c1(HMe2SiO1/2)c2(Me3SiO1/2)d1(Ph3SiO1/2)d2,式中a1、a2、a3、b1、b2、b3、c1、c2、d1、d2均为大于等于0且小于1的数,0<a1+a2+a3<1,0<c1+c2<1,0<c2+d1+d2<1,0<a2+b2+b3+d2<1,a1+a2+a3+b1+b2+b3+c1+c2+d1+d2=1;所述制备方法包括下列依次进行的步骤:(A)、将烷氧基硅烷、封端剂、溶剂和催化剂混合,在40℃~50℃温度下搅拌并滴加水反应,滴加完后,在50℃下继续反应1~3小时;(B)、加入氢基烷氧基硅烷和/或氢基硅氧烷,搅拌下滴加乙酸,滴完后,升温至50℃~80℃进行缩聚聚合反应1~3小时;(C)、加入溶剂和水并搅拌混合,然后静置并分离有机层与水层,将分离后的有机层反复水洗至中性后干燥,再减压蒸馏脱除低分子。
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