[发明专利]基板载置机构和使用该基板载置机构的基板处理装置无效
| 申请号： | 201010236453.6 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101989563A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 伊藤毅 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够使基板的面内温度均匀的基板载置机构和使用该基板载置机构的基板处理装置。基板载置机构(84a、84b、84c)包括：基板载置台(86)，用于载置基板(G)；加热器(87)，其用于隔着基板载置台(86)对基板(G)进行加热；基板升降构件(88)，其用于支承基板(G)的端部，能在将基板(G)载置在基板载置台(86)上的第1位置和从基板载置台(86)上升的第2位置之间升降；升降机构(93、94、95、96、97)，其用于使基板升降构件(88)升降，基板升降构件(88)在上述第1位置作为基板载置台(86)的一部分而发挥作用。 | ||
| 搜索关键词： | 基板载置 机构 使用 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种基板载置机构，其特征在于，包括：基板载置台，其用于载置基板；热源，其用于隔着上述基板载置台对基板进行加热或冷却；基板升降构件，其用于支承基板的端部，能在将基板载置在上述基板载置台上的第1位置和使基板从上述基板载置台上升的第2位置之间升降；以及升降机构，其用于使上述基板升降构件升降，上述基板升降构件在上述第1位置作为上述基板载置台的一部分而发挥作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
