[发明专利]一种薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201010236618.X | 申请日: | 2010-07-26 |
公开(公告)号: | CN101901847A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 赵一辉;贺方涓 | 申请(专利权)人: | 河南阿格斯新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 陈浩 |
地址: | 450001 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池,其结构为:衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N+层/TCO层。本发明薄膜太阳能电池的非晶硅P-I-N结层厚度设计合理,近红外光谱能量能够被铜铟镓硒P-N结层充分吸收,因此薄膜太阳能电池的功率大大提高。另外,在非晶硅P-I-N结层的P型非晶硅层和N型非晶硅层外分别设置了极薄而重掺杂的P+层和N+层,加强了I型非晶硅层中的电场强度,提高了太阳能电池的功率。本发明薄膜太阳能电池所产生的功率较目前同类型双结层结构的太阳能电池平均增高约1.5%。本发明太阳能电池还具有可靠性高和制造价格低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池,包括衬底层、设置在衬底层上的背电极层、TCO层和设置在背电极层与TCO层之间的太阳能电池模组,其特征在于:所述太阳能电池模组包括一个铜铟镓硒P-N结层和一个非晶硅P-I-N结层,所述铜铟镓硒P-N结层的P型铜铟镓硒薄膜层设置于背电极层上,所述铜铟镓硒P-N结层的N型铜铟镓硒缓冲层与所述非晶硅P-I-N结层的P型非晶硅层之间设置有重掺杂的P+层,所述非晶硅P-I-N结层的N型非晶硅层与所述TCO层之间设置有重掺杂的N+层,该太阳能电池的结构为:衬底层/背电极层/P型铜铟镓硒薄膜层/N型铜铟镓硒缓冲层/P+层/P型非晶硅层/I型非晶硅层/N型非晶硅层/N+层/TCO层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的