[发明专利]填充有金属的沟槽结构及形成方法及化学机械研磨方法有效
| 申请号： | 201010236837.8 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102339741A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成填充有金属的沟槽结构的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积形成刻蚀终止层、第二绝缘层和第一绝缘层；在第一绝缘层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，图案化光阻胶层的开口用于定义沟槽的位置；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，对第一绝缘层和第二绝缘层依次进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内填充金属，所述金属的高度高于所述第一绝缘层的高度。本发明还提供了一种根据上述方法形成的沟槽结构，以及适用于该沟槽结构的化学机械研磨方法。本发明在化学机械研磨过程中提高了晶片与晶片间的金属方块电阻均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 金属 沟槽 结构 形成 方法 化学 机械 研磨 | ||
【主权项】：
一种形成填充有金属的沟槽结构的方法，该方法包括：提供一半导体衬底，在半导体衬底上依次沉积形成刻蚀终止层、第二绝缘层和第一绝缘层；在第一绝缘层的表面涂布光阻胶层，并曝光显影图案化所述光阻胶层，图案化光阻胶层的开口用于定义沟槽的位置；以所述图案化的光阻胶层为掩膜，对第一绝缘层和第二绝缘层依次进行刻蚀，在刻蚀终止层停止刻蚀，形成沟槽；在所述沟槽内填充金属，所述金属的高度高于所述第一绝缘层的高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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