[发明专利]一种采用无窗气体靶的小型中子源无效
申请号: | 201010238639.5 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN101916607A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | 朱昆;黄胜;陆元荣;邹宇斌;郭之虞;彭士香 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | G21G4/02 | 分类号: | G21G4/02 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 苏爱华 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源,属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子,直接通过高压引出电极引出,轰击用等离子体密封的无窗气体靶,由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的,因此它允许承受很高的流强的束流,同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小,因此中子产额较高。与中子管相比,本发明提出的中子源允许的束流强度高,中子产额高。与加速器中子源相比,加速器中子源体积大,系统复杂,造价高,本发明提出的中子源体积小,系统简单,造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比,该离子源系统简单,造价低,没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 采用 气体 小型 中子源 | ||
【主权项】:
一种小型中子源,其特征在于,包括ECR离子源、低能束流传输线和无窗气体靶,从ECR离子源中产生的离子束流,经过低能束流传输线送至无窗气体靶,与靶内气体发生反应产生中子,其中,无窗气体靶采用等离子体密封。
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