[发明专利]芯片级表面封装的半导体器件封装及其制备过程有效
| 申请号： | 201010238649.9 | 申请日： | 2010-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101964332A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 冯涛 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L29/78;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了一种半导体器件封装晶片及其制备方法。此器件封装晶片可以包括具有位于器件衬底的前表面上的一个或多个前电极的器件衬底，并且相应地电连接到形成在前表面附近的器件衬底中的一个或多个器件区域。在器件衬底的后表面上制备一个背部导电层。此背部导电层电连接到形成在器件衬底的后表面附近的器件衬底中的一个器件区域上。一个或多个导电延伸部分，相应地形成在与背部导电层电接触的器件衬底的一个或多个侧壁上，并延伸到器件衬底的一部分前表面上。在器件衬底的后表面上黏接一个支持衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 表面 封装 半导体器件 及其 制备 过程 | ||
【主权项】：
一种半导体器件封装晶片，其特征在于，包括：一个器件衬底，具有一个或多个前电极，位于器件衬底的前表面上，并且相应地电连接到形成在前表面附近的器件衬底中的一个或多个器件区域上；一个形成在器件衬底的后表面上的背部导电层，其中背部导电层电连接到形成在器件衬底的后表面附近的器件衬底中的一个器件区域上；一个或多个同背部导电层电接触的导电延伸部分，其中一个或多个导电延伸部分相应地形成在器件衬底的一个或多个侧壁上，并延伸到衬底的前表面部分；以及一个黏接到器件衬底的后表面上的支持衬底。
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