[发明专利]辐射半导体及半导器无效
| 申请号： | 201010238995.7 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101950046A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 黎耕 | 申请（专利权）人： | 黎耕 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530012 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 辐射半导体与电子半导体类似，是等温黑体辐射从一个表面到达另一个表面的份额大于逆向辐射到达份额的封闭腔。主要原理是费马原理。封闭腔辐射角系数f失去互换性，产生敞开面辐射能流量呈负值的负极、呈正值的正极，热量自动地从负极流向正极，使负极前方的物体降温，正极前方的物体升温，特别是漏斗形镜面、辐射半导体镜面与不对称渐变折射率介质组合的结构能力更强，可以制冷、制热、空调、烹调、驱动热机、发电，能够将漫射聚集为极高能流密度的细光柱定向输送，能够使物体成为“黑洞”隐形等等，能够日夜聚集、储存、输送太阳能和太阳能转化的各种物体自发辐射能，是收集、开发、利用量子能源的理想结构。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 半导体 半导器 | ||
【主权项】：
一种辐射半导体封闭腔，特别是漏斗形镜面、辐射半导体镜面与非对称渐变折射率介质构成的封闭腔，其特征在于：封闭腔敞开面辐射角系数f没有互换性，单一热源辐射从一个敞开面到达另一个敞开面的份额大于逆向辐射到达份额，自动地维持这种辐射交换的不平衡状态，使敞开面产生辐射能流量呈正值的正极、呈负值的负极，形成辐射半导体。
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