[发明专利]一种薄膜晶体管的对位检测方法有效

专利信息
申请号: 201010239799.1 申请日: 2010-07-28
公开(公告)号: CN102347255A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 邱启明 申请(专利权)人: 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种薄膜晶体管的对位检测方法,包括提供一定义有一元件区与一测试区的基板、在该基板上形成一第一导电层、对该第一导电层进行一第一图案化制程形成一薄膜晶体管的一闸极电极以及一测试元件的一第一端与一第二端、在该基板上形成一第一绝缘层、在该第一绝缘层内形成一对应该第一端与该第二端的第一接触洞、在该元件区内形成一像素电极与该测试元件的一连接电极、对该测试元件进行一通路/断路测试。当该测试元件具有一通路时,判定该薄膜晶体管的膜层的对位准确;当该测试元件具有一断路时,判定该薄膜晶体管的膜层的对位不准确。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 对位 检测 方法
【主权项】:
一种薄膜晶体管的对位检测方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一基板,所述基板上定义有一元件区与一测试区;在所述基板上形成一第一导电层,并对所述第一导电层进行一第一图案化制程,以在所述元件区内形成一薄膜晶体管的一闸极电极,以及在所述测试区内形成一测试元件的一第一端与一第二端,所述第一端与所述第二端电性分离;在所述基板上形成一第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述闸极电极以及所述测试元件的第一端与第二端;在所述第一绝缘层内形成一第一接触洞,所述第一接触洞对应所述测试元件的第一端与第二端;在所述元件区内形成一像素电极,并在所述测试区内的第一接触洞内形成所述测试元件的一连接电极;以及对所述测试元件的第一端、连接电极与第二端进行一通路/断路测试,当所述测试元件的所述第一端、所述连接电极与所述第二端具有一通路时,判定所述薄膜晶体管的膜层的对位准确,以及当所述测试元件的所述第一端、所述连接电极与所述第二端具有一断路时,判定所述薄膜晶体管的膜层的对位不准确。
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