[发明专利]一种薄膜晶体管的对位检测方法有效
申请号: | 201010239799.1 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN102347255A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 邱启明 | 申请(专利权)人: | 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管的对位检测方法,包括提供一定义有一元件区与一测试区的基板、在该基板上形成一第一导电层、对该第一导电层进行一第一图案化制程形成一薄膜晶体管的一闸极电极以及一测试元件的一第一端与一第二端、在该基板上形成一第一绝缘层、在该第一绝缘层内形成一对应该第一端与该第二端的第一接触洞、在该元件区内形成一像素电极与该测试元件的一连接电极、对该测试元件进行一通路/断路测试。当该测试元件具有一通路时,判定该薄膜晶体管的膜层的对位准确;当该测试元件具有一断路时,判定该薄膜晶体管的膜层的对位不准确。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 对位 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的对位检测方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:提供一基板,所述基板上定义有一元件区与一测试区;在所述基板上形成一第一导电层,并对所述第一导电层进行一第一图案化制程,以在所述元件区内形成一薄膜晶体管的一闸极电极,以及在所述测试区内形成一测试元件的一第一端与一第二端,所述第一端与所述第二端电性分离;在所述基板上形成一第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述闸极电极以及所述测试元件的第一端与第二端;在所述第一绝缘层内形成一第一接触洞,所述第一接触洞对应所述测试元件的第一端与第二端;在所述元件区内形成一像素电极,并在所述测试区内的第一接触洞内形成所述测试元件的一连接电极;以及对所述测试元件的第一端、连接电极与第二端进行一通路/断路测试,当所述测试元件的所述第一端、所述连接电极与所述第二端具有一通路时,判定所述薄膜晶体管的膜层的对位准确,以及当所述测试元件的所述第一端、所述连接电极与所述第二端具有一断路时,判定所述薄膜晶体管的膜层的对位不准确。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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