[发明专利]具有预对准图案的半导体晶片和预对准半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 201010239939.5 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101986427A | 公开（公告）日： | 2011-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王盈盈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开具有预对准图案的半导体晶片和预对准半导体晶片的方法，在该晶片的边缘具有两个或多个刻痕的预对准图案，该方法于制造过程中利用刻痕。于一实施例中，沿着半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的。于另一实施例中，沿着半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离各不相同。于另一方式中，于制造过程中使用刻痕及平边的晶片预对准方法。于一实施例中，沿着半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离或者平边与邻接的刻痕之间的所有距离中，至少两个距离是不同的。于另一实施例中，沿着半导体晶片的边缘任意两相邻刻痕之间的距离及平边与邻接的刻痕之间的距离各不相同。本发明可使预对准误差降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 图案 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一具有预对准图案的半导体晶片，所述预对准图案包括：N个刻痕，位于该半导体晶片的边缘，其中N为大于或等于2的整数。
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