[发明专利]基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法有效
申请号: | 201010240392.0 | 申请日: | 2010-07-29 |
公开(公告)号: | CN101944838A | 公开(公告)日: | 2011-01-12 |
发明(设计)人: | 王斯然;周霞;陈基锋;吕征宇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人: | 金祺 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及桥式变流器,旨在提供一种基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法。本发明在桥式变流器中开关器件均有驱动芯片,且驱动芯片上带有短路保护功能。利用该短路保护功能,检测驱动芯片上的短路保护引脚的电压,将其与特定的电压基准进行比较,从而可根据开关器件的输出特性判断输出电流的状态。根据输出电流的不同状态,再对电路采取不同的死区补偿量。本方法能够避免死区补偿量不合适而引起的输出电流畸变,使得输出电流、输出电压更加接近正弦波,从而提高桥式变流器的工作性能。另外,直接利用电路中的元器件判断输出电流的状态,能够大大地降低电路的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 igbt 驱动 芯片 短路 保护 电流 状态 判断 死区 补偿 方法 | ||
【主权项】:
一种基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断方法,包括下述步骤:(1)在每个开关周期分别检测上下桥臂的IGBT驱动芯片短路保护引脚的电压峰值VP、VN;(2)将VP、VN分别与特定的电压基准V1进行比较,并将比较结果通过触发器锁存输出电流状态的逻辑判断信号SP1、SN1;所述V1为一个根据IGBT器件特性而设定的弱电流下集射极间的参考电压,为IGBT开始向基区注入少数载流子时的集射极间电压,在此电压值以下所对应弱电流范围内,IGBT还未向基区注入少数载流子;(3)将VP、VN分别与特定的电压基准V2进行比较,并将比较结果进行锁存获得输出电流状态逻辑判断信号SP2、SN2;所述V2为一个根据IGBT器件特性而设定的低电流下集射极间的一个参考电压,取为在IGBT输出特性曲线中与输出电流纹波峰值AIO相对应的集射极间电压,V2>V1;(4)根据步骤(2)和(3)所述的四位输出电流状态判断信号SP1、SP2、SN1、SN2判定输出电流处于下述5种状态中的一种:①当VP>V2、VN<V1时,四位输出电流状态判断信号为1100,表示输出电流处于大电流状态,且极性为正;②当V2>VP>V1、VN<V1时,四位输出电流状态判断信号为1000,表示输出电流处于过零阶段,且均值极性为正;③当VP<V1、VN<V1时,四位输出电流状态判断信号为0000,表示输出电流处于极小电流状态;④当VP<V1、V2>VN>V1时,四位输出电流状态判断信号为0010,表示输出电流处于过零阶段,且极性为负;⑤当VP<V1、VN>V2时,四位输出电流状态判断信号为0011,表示输出电流处于大电流状态,且极性为负。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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