[发明专利]基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法有效

专利信息
申请号: 201010240392.0 申请日: 2010-07-29
公开(公告)号: CN101944838A 公开(公告)日: 2011-01-12
发明(设计)人: 王斯然;周霞;陈基锋;吕征宇 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及桥式变流器,旨在提供一种基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断及死区补偿方法。本发明在桥式变流器中开关器件均有驱动芯片,且驱动芯片上带有短路保护功能。利用该短路保护功能,检测驱动芯片上的短路保护引脚的电压,将其与特定的电压基准进行比较,从而可根据开关器件的输出特性判断输出电流的状态。根据输出电流的不同状态,再对电路采取不同的死区补偿量。本方法能够避免死区补偿量不合适而引起的输出电流畸变,使得输出电流、输出电压更加接近正弦波,从而提高桥式变流器的工作性能。另外,直接利用电路中的元器件判断输出电流的状态,能够大大地降低电路的生产成本。
搜索关键词: 基于 igbt 驱动 芯片 短路 保护 电流 状态 判断 死区 补偿 方法
【主权项】:
一种基于IGBT驱动芯片短路保护的电流状态判断方法,包括下述步骤:(1)在每个开关周期分别检测上下桥臂的IGBT驱动芯片短路保护引脚的电压峰值VP、VN;(2)将VP、VN分别与特定的电压基准V1进行比较,并将比较结果通过触发器锁存输出电流状态的逻辑判断信号SP1、SN1;所述V1为一个根据IGBT器件特性而设定的弱电流下集射极间的参考电压,为IGBT开始向基区注入少数载流子时的集射极间电压,在此电压值以下所对应弱电流范围内,IGBT还未向基区注入少数载流子;(3)将VP、VN分别与特定的电压基准V2进行比较,并将比较结果进行锁存获得输出电流状态逻辑判断信号SP2、SN2;所述V2为一个根据IGBT器件特性而设定的低电流下集射极间的一个参考电压,取为在IGBT输出特性曲线中与输出电流纹波峰值AIO相对应的集射极间电压,V2>V1;(4)根据步骤(2)和(3)所述的四位输出电流状态判断信号SP1、SP2、SN1、SN2判定输出电流处于下述5种状态中的一种:①当VP>V2、VN<V1时,四位输出电流状态判断信号为1100,表示输出电流处于大电流状态,且极性为正;②当V2>VP>V1、VN<V1时,四位输出电流状态判断信号为1000,表示输出电流处于过零阶段,且均值极性为正;③当VP<V1、VN<V1时,四位输出电流状态判断信号为0000,表示输出电流处于极小电流状态;④当VP<V1、V2>VN>V1时,四位输出电流状态判断信号为0010,表示输出电流处于过零阶段,且极性为负;⑤当VP<V1、VN>V2时,四位输出电流状态判断信号为0011,表示输出电流处于大电流状态,且极性为负。
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