[发明专利]介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备

摘要

本发明涉及介电膜、使用该介电膜的半导体器件的制造方法和半导体制造设备。提供制造具有高介电常数的介电膜的方法。在本发明的实施方案中，在基板上形成HfN/Hf层压膜，其上形成薄氧化硅膜，通过退火处理制造由Hf、Si、O和N的混合物制成的金属氮化物介电膜。根据本发明，可以(1)降低EOT，(2)降低漏电流至Jg＝1.0×10-1A/cm2以下，(3)抑制由固定电荷产生所引起的滞后，和(4)即使进行700℃以上的热处理也防止EOT增加，并获得优良耐热性。

主权项

一种制造介电膜的方法，其包括：第一步骤，制备要处理的基板，在所述基板上形成氧化硅膜；第二步骤，在所述氧化硅膜上沉积含有Hf和N的金属氮化物膜；第三步骤，在所述金属氮化物膜上沉积含有Hf的金属膜；和第四步骤，对所述氧化硅膜、所述金属氮化物膜和所述金属膜的层压膜进行热处理，从而形成含有Hf、Si、O和N的金属氮氧化物。