[发明专利]太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201010240858.7 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102347383A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;黄杰;汪磊 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518100 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种太阳能电池，包括：透明基体；透明导电电极，设于透明基体上；第一缓冲层，设于透明导电电极上；第一纳米柱阵列层，设于第一缓冲层上；第二纳米柱阵列层，间隔设于第一纳米柱阵列层上，第二纳米柱阵列层包括周期性间隔排布的多个第二纳米柱，该多个第二纳米柱构成二维光子晶体结构；光活性层，填充于第一纳米柱阵列层和第二纳米柱阵列层之间，且渗透进入第一纳米柱阵列层和第二纳米柱阵列层内部；第二缓冲层，设于第二纳米柱阵列层上；及导电电极，设于第二缓冲层上。上述太阳能电池具有光电转化效率较高的优点。本发明还提供一种上述太阳能电池的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其特征在于，包括：透明基体；透明导电电极，设于该透明基体上；第一缓冲层，设于该透明导电电极上；第一纳米柱阵列层，设于该第一缓冲层上；第二纳米柱阵列层，间隔设于该第一纳米柱阵列层上，该第二纳米柱阵列层包括周期性间隔排布的多个第二纳米柱，该多个第二纳米柱构成二维光子晶体结构；光活性层，填充于该第一纳米柱阵列层和该第二纳米柱阵列层之间，且渗透进入该第一纳米柱阵列层和该第二纳米柱阵列层内部；第二缓冲层，设于该第二纳米柱阵列层上；及导电电极，设于该第二缓冲层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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